Numéro de produit du fabricant:
NVB190N65S3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVB190N65S3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12848144
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SOUMETTRE
NVB190N65S3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET® III
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 430µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1605 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
162W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NVB190
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVB190N65S3F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
752
NUMÉRO DE PIÈCE
NVB190N65S3F-DG
PRIX UNITAIRE
1.75
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
AOWF11S65
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
AOT210L
MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220
