Numéro de produit du fabricant:
NTZS3151PT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTZS3151PT1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Description détaillée:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventaire:
17660 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12930487
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTZS3151PT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
860mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
458 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
NTZS3151
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
NTZS3151PT1GOSTR
NTZS3151PT1GOSCT
ONSONSNTZS3151PT1G
NTZS3151PT1GOSDKR
2156-NTZS3151PT1G-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
AOTF42S60L
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F
AON6160
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
