Numéro de produit du fabricant:
NTY100N10G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTY100N10G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Description détaillée:
N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264
Inventaire:
12856899
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SOUMETTRE
NTY100N10G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
123A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10110 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
313W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-264
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
NTY100
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
2156-NTY100N10G-ON
ONSONSNTY100N10G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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