NTTFSS1D1N02P1E
Numéro de produit du fabricant:

NTTFSS1D1N02P1E

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTTFSS1D1N02P1E-DG

Description:

25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Description détaillée:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 264A (Tc) 2W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 9-WDFN (3.3x3.3)

Inventaire:

12994170
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SOUMETTRE

NTTFSS1D1N02P1E Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
39A (Ta), 264A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.85mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 934µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4360 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
9-WDFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
9-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NTTFSS1

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NTTFSS1D1N02P1ETR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
taiwan-semiconductor

TSM250NB06LCV RGG

60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER

diodes

DMN2991UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

onsemi

NVBG060N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

nexperia

PMV50XPAR

PMV50XPA/SOT23/TO-236AB