Numéro de produit du fabricant:
NTTFS5820NLTWG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTTFS5820NLTWG-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 37A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventaire:
12841456
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTTFS5820NLTWG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1462 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NTTFS5
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RH6L040BGTB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
24833
NUMÉRO DE PIÈCE
RH6L040BGTB1-DG
PRIX UNITAIRE
0.79
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
NTP52N10G
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
NVD6495NLT4G
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
2SK3892
MOSFET N-CH 200V 22A TO220D-A1
