Numéro de produit du fabricant:
NTPF190N65S3H
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTPF190N65S3H-DG
Description:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 16A (Tj) 32W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
12992734
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SOUMETTRE
NTPF190N65S3H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
488-NTPF190N65S3HTR-DG
488-NTPF190N65S3HCT-DG
488-NTPF190N65S3H
488-NTPF190N65S3HCTiNACTIVE
488-NTPF190N65S3HDKR-DG
488-NTPF190N65S3HDKR
488-NTPF190N65S3HDKRINACTIVE
488-NTPF190N65S3HCT
488-NTPF190N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF190N65S3HTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMX3000ENEZ
PMX3000ENEZ
G16N03S
N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
FQNLNSOCTA
MOSFET N-CH
