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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
NTP8G202NG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTP8G202NG-DG
Description:
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
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12840870
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SOUMETTRE
NTP8G202NG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V
rds activé (max) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±18V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
NTP8G2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
NTP8G202NG-DG
Fiches techniques
NTP8G202NG
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
NTP8G202NGOS
2156-NTP8G202NG-ON
ONSONSNTP8G202NG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP17N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP17N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
2.15
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.25
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IXFP22N60P3
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP22N60P3-DG
PRIX UNITAIRE
2.48
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onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
18
NUMÉRO DE PIÈCE
FCPF11N60T-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
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996
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PRIX UNITAIRE
1.38
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