Numéro de produit du fabricant:
NTP60N06G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTP60N06G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220
Inventaire:
12856694
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SOUMETTRE
NTP60N06G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3220 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 150W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
NTP60N
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
NTP60N06GOS
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R6-60PS,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
7843
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R6-60PS,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.15
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