Numéro de produit du fabricant:
NTNS3A65PZT5GHW
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTNS3A65PZT5GHW-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Description détaillée:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Inventaire:
12972312
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SOUMETTRE
NTNS3A65PZT5GHW Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
281mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
44 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
155mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD25N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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