NTMYS8D0N04CTWG
Numéro de produit du fabricant:

NTMYS8D0N04CTWG

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTMYS8D0N04CTWG-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventaire:

12858290
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

NTMYS8D0N04CTWG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
625 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK4 (5x6)
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
NTMYS8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
NTMYS8D0N04CTWG-DG
NTMYS8D0N04CTWGOSTR
NTMYS8D0N04CTWGOSCT
2156-NTMYS8D0N04CTWG
NTMYS8D0N04CTWGOSDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRFS7537TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK

renesas-electronics-america

NP20P06SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

renesas-electronics-america

2SK2315TYTR-E

MOSFET N-CH 60V 2A UPAK