NTMYS014N06CLTWG
Numéro de produit du fabricant:

NTMYS014N06CLTWG

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTMYS014N06CLTWG-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventaire:

2900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12855778
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SOUMETTRE

NTMYS014N06CLTWG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
620 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK4 (5x6)
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
NTMYS014

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-NTMYS014N06CLTWG
NTMYS014N06CLTWGOSCT
NTMYS014N06CLTWG-DG
NTMYS014N06CLTWGOSTR
NTMYS014N06CLTWGOSDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NVMYS014N06CLTWG
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
7137
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMYS014N06CLTWG-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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