Numéro de produit du fabricant:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Description détaillée:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventaire:
5966 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947946
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SOUMETTRE
NTMTSC1D6N10MCTXG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 650µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7630 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TDFNW (8.3x8.4)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
NTMTSC1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMN48XP,125
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
NVMYS6D2N06CLTWG
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