Numéro de produit du fabricant:
NTMT090N65S3HF
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMT090N65S3HF-DG
Description:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventaire:
12990357
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SOUMETTRE
NTMT090N65S3HF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III, FRFET®
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 860µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2930 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
272W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NTMT090N65S3HFDKR
488-NTMT090N65S3HFTR
488-NTMT090N65S3HFCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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