NTMSD3P303R2G
Numéro de produit du fabricant:

NTMSD3P303R2G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTMSD3P303R2G-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12858272
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SOUMETTRE

NTMSD3P303R2G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
FETKY™
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
750 pF @ 24 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
730mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NTMSD3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
NTMSD3P303R2GOS

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
CWDM305P TR13 PBFREE
FABRICANT
Central Semiconductor Corp
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
CWDM305P TR13 PBFREE-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
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