Numéro de produit du fabricant:
NTMS7N03R2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMS7N03R2G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12844913
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SOUMETTRE
NTMS7N03R2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1190 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NTMS7
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NTMS7N03R2GOSCT
ONSONSNTMS7N03R2G
NTMS7N03R2GOSTR
NTMS7N03R2GOSDKR
NTMS7N03R2GOS
2156-NTMS7N03R2G-OS
NTMS7N03R2GOS-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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