Numéro de produit du fabricant:
NTMS4816NR2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMS4816NR2G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 30 V 6.8A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12859453
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SOUMETTRE
NTMS4816NR2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1060 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
780mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NTMS4816
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NTMS4816NR2G-DG
ONSONSNTMS4816NR2G
NTMS4816NR2GOSDKR
NTMS4816NR2GOSCT
NTMS4816NR2GOSTR
2832-NTMS4816NR2G
2156-NTMS4816NR2G-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4174DY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
16514
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4174DY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.24
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