Numéro de produit du fabricant:
NTMS4177PR2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMS4177PR2G-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 6.6A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
6988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848627
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTMS4177PR2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3100 pF @ 24 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
840mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NTMS41
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NTMS4177PR2GDKR
NTMS4177PR2GCT
NTMS4177PR2G-DG
Q7458880ZZ
NTMS4177PR2GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AON7412
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
AON2400
MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN
NVMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
