Numéro de produit du fabricant:
NTMS3P03R2
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMS3P03R2-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12856435
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SOUMETTRE
NTMS3P03R2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
750 pF @ 24 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
730mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NTMS3P
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
ONSONSNTMS3P03R2
2156-NTMS3P03R2-ONTR
NTMS3P03R2OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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