Numéro de produit du fabricant:
NTMFS6H800NLT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS6H800NLT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12857389
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SOUMETTRE
NTMFS6H800NLT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Ta), 224A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 330µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6900 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.9W (Ta), 214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NTMFS6H800NLT1GDKR
488-NTMFS6H800NLT1GCT
NTMFS6H800NLT1G-DG
488-NTMFS6H800NLT1GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS6H800NLT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1284
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS6H800NLT1G-DG
PRIX UNITAIRE
2.09
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NTD65N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
NP80N04KHE-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
IRF624L
MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK
