Numéro de produit du fabricant:
NTMFS5832NLT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS5832NLT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 20A (Ta), 111A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12859796
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SOUMETTRE
NTMFS5832NLT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 111A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS5832
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NTMFS5832NLT1G-DG
NTMFS5832NLT1GOSDKR
2156-NTMFS5832NLT1G-OS
ONSONSNTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1GOSTR
NTMFS5832NLT1GOSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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