Numéro de produit du fabricant:
NTMFS4C09NBT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS4C09NBT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V SO8FL
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
1436 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12842194
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SOUMETTRE
NTMFS4C09NBT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1252 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS4
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NTMFS4C09NBT1G-DG
488-NTMFS4C09NBT1GCT
488-NTMFS4C09NBT1GDKR
488-NTMFS4C09NBT1GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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