Numéro de produit du fabricant:
NTMFS4852NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS4852NT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 155A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
343 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839784
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SOUMETTRE
NTMFS4852NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 155A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4970 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS4852
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NTMFS4852NT1GOSDKR
2156-NTMFS4852NT1G-OS
ONSONSNTMFS4852NT1G
NTMFS4852NT1GOSCT
2832-NTMFS4852NT1GTR
NTMFS4852NT1GOSTR
NTMFS4852NT1G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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