Numéro de produit du fabricant:
NTMFS4825NFET1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS4825NFET1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12930602
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SOUMETTRE
NTMFS4825NFET1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Ta), 171A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5660 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NTMFS4825NFET1GOSDKR
2156-NTMFS4825NFET1G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1GOSCT
NTMFS4825NFET1GOSTR
2156-NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
AO3418L
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FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
