Numéro de produit du fabricant:
NTMFS3D2N10MDT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS3D2N10MDT1G-DG
Description:
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2.8W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
541 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979494
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SOUMETTRE
NTMFS3D2N10MDT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Ta), 142A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 316µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3900 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 155W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NTMFS3D2N10MDT1GTR
488-NTMFS3D2N10MDT1GCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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