Numéro de produit du fabricant:
NTMFD0D9N02P1E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFD0D9N02P1E-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
Description détaillée:
Mosfet Array 30V, 25V 14A (Ta), 30A (Ta) 960mW (Ta), 1.04W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12989527
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTMFD0D9N02P1E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V, 25V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Ta), 30A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V, 0.72mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9nC, 30nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Puissance - Max
960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Numéro de produit de base
NTMFD0D9
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
488-NTMFD0D9N02P1ETR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFI4020H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
TSM2N7002AKDCU6 RFG
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
BUK7V4R2-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
