Numéro de produit du fabricant:
NTMD6601NR2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMD6601NR2G-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12858254
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SOUMETTRE
NTMD6601NR2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
80V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.1A
rds activé (max) @ id, vgs
215mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
400pF @ 25V
Puissance - Max
600mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
NTMD66
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
ONSONSNTMD6601NR2G
2156-NTMD6601NR2G-ONTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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