Numéro de produit du fabricant:
NTLJF3117PT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTLJF3117PT1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventaire:
20724 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12856499
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SOUMETTRE
NTLJF3117PT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
µCool™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
531 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
710mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
NTLJF3117
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NTLJF3117PT1GOSTR
NTLJF3117PT1GOSDKR
NTLJF3117PT1G-DG
ONSONSNTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1GOSCT
=NTLJF3117PT1GOSCT-DG
2156-NTLJF3117PT1G-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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