Numéro de produit du fabricant:
NTLJD4116NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTLJD4116NT1G-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventaire:
9844 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12844396
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTLJD4116NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A
rds activé (max) @ id, vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
427pF @ 15V
Puissance - Max
710mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Numéro de produit de base
NTLJD41
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NTLJD4116NT1G-DG
488-NTLJD4116NT1GTR
ONSONSNTLJD4116NT1G
2156-NTLJD4116NT1G-OS
488-NTLJD4116NT1GCT
488-NTLJD4116NT1GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AO4800
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTJD4105CT4G
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
AON6884L
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
