Numéro de produit du fabricant:
NTHS4166NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHS4166NT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventaire:
461 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12860637
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SOUMETTRE
NTHS4166NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ChipFET™
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
NTHS4166
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-NTHS4166NT1G-OS
ONSONSNTHS4166NT1G
NTHS4166NT1GOSDKR
NTHS4166NT1GOSCT
2832-NTHS4166NT1GTR
NTHS4166NT1GOSTR
NTHS4166NT1G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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