NTHS2101PT1
Numéro de produit du fabricant:

NTHS2101PT1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTHS2101PT1-DG

Description:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Description détaillée:
P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Inventaire:

12844776
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SOUMETTRE

NTHS2101PT1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2400 pF @ 6.4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ChipFET™
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
NTHS21

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-NTHS2101PT1-ONTR
ONSONSNTHS2101PT1
NTHS2101PT1OS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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