Numéro de produit du fabricant:
NTHL185N60S5H
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHL185N60S5H-DG
Description:
SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12974070
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTHL185N60S5H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 1.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1350 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
116W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTHL185N60S5H
2832-NTHL185N60S5H
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020YNZ4C13
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
600
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020YNZ4C13-DG
PRIX UNITAIRE
2.87
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG17N80AE-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2000
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG17N80AE-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.32
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
PJF4NA65A_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5446_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF2NA1K_T0_00001
1000V N-CHANNEL MOSFET
