Numéro de produit du fabricant:
NTHL1000N170M1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHL1000N170M1-DG
Description:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Description détaillée:
N-Channel 1700 V 4.2A (Tc) 48W Through Hole TO-247-3
Inventaire:
406 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13255985
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SOUMETTRE
NTHL1000N170M1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 640µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
488-NTHL1000N170M1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
ISK018NE1LM7AULA1
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ISC035N10NM5LF2ATMA1
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