Numéro de produit du fabricant:
NTHL020N090SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHL020N090SC1-DG
Description:
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 900 V 118A (Tc) 503W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
365 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13275960
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SOUMETTRE
NTHL020N090SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
118A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4415 pF @ 450 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
503W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
NTHL020
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2832-NTHL020N090SC1
2156-NTHL020N090SC1
488-NTHL020N090SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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