Numéro de produit du fabricant:
NTH4LN095N65S3H
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTH4LN095N65S3H-DG
Description:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
12950505
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SOUMETTRE
NTH4LN095N65S3H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2833 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4LN095N65S3H
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH60N65X2-4
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
33
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH60N65X2-4-DG
PRIX UNITAIRE
7.36
TYPE DE SUBSTITUT
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