NTH4LN019N65S3H
Numéro de produit du fabricant:

NTH4LN019N65S3H

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTH4LN019N65S3H-DG

Description:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventaire:

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SOUMETTRE

NTH4LN019N65S3H Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 14.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
282 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15993 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
625W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
NTH4LN019N65S3H

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4LN019N65S3H

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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