Numéro de produit du fabricant:
NTH4L060N065SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTH4L060N065SC1-DG
Description:
SIC MOS TO247-4L 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
663 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979442
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SOUMETTRE
NTH4L060N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
70mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 6.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1473 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
176W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4L060N065SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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