Numéro de produit du fabricant:
NTH027N65S3F_F155
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTH027N65S3F_F155-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12855575
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SOUMETTRE
NTH027N65S3F_F155 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
FRFET®, SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
27.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 7.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
259 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7690 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
595W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
NTH027
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTH027N65S3F-F155
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
254
NUMÉRO DE PIÈCE
NTH027N65S3F-F155-DG
PRIX UNITAIRE
13.72
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS4C01NT3G
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
MMBFV170LT3G
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23
2SJ599(0)-Z-E2-AZ
TRANSISTOR
