Numéro de produit du fabricant:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTGD4167CT1G-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
928248 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12857549
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SOUMETTRE
NTGD4167CT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
295pF @ 15V
Puissance - Max
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Numéro de produit de base
NTGD4167
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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