Numéro de produit du fabricant:
NTF2955T1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTF2955T1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Description détaillée:
P-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventaire:
5249 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12857893
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SOUMETTRE
NTF2955T1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
492 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223 (TO-261)
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
NTF2955
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
NTF2955T1GOSCT
2156-NTF2955T1G-OS
ONSONSNTF2955T1G
NTF2955T1G-DG
NTF2955T1GOSDKR
NTF2955T1GOSTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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