Numéro de produit du fabricant:
NTDV18N06LT4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTDV18N06LT4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12856566
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SOUMETTRE
NTDV18N06LT4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
675 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NTDV18
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
1594
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
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PRIX UNITAIRE
0.38
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
6434
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PRIX UNITAIRE
0.42
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PRIX UNITAIRE
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