Numéro de produit du fabricant:
NTD6416ANL-1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD6416ANL-1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
12855881
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTD6416ANL-1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
74mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NTD64
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
NTD6416ANL-1G-DG
NTD6416ANL-1GOS
ONSONSNTD6416ANL-1G
2156-NTD6416ANL-1G-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS5C612NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 235A 5DFN
SFP9630
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220-3
NTHL027N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
