Numéro de produit du fabricant:
NTD60N02RT4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD60N02RT4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12842347
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SOUMETTRE
NTD60N02RT4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1330 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NTD60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NTD60N02RT4GOSCT
=NTD60N02RT4GOSCT-DG
NTD60N02RT4GOS
NTD60N02RT4GOS-DG
NTD60N02RT4GOSTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
BSP612PH6327XTSA1
SMALL SIGNAL+P-CH
