Numéro de produit du fabricant:
NTD4979N-35G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD4979N-35G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
12842753
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTD4979N-35G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
837 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NTD4979
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSNTD4979N-35G
2156-NTD4979N-35G-OS
2832-NTD4979N-35G
2832-NTD4979N-35G-488
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NDUL09N150CG
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
IPB042N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
NVMFS5C404NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
