Numéro de produit du fabricant:
NTD4806N-35G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD4806N-35G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventaire:
12857683
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SOUMETTRE
NTD4806N-35G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2142 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
NTD48
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSNTD4806N-35G
2156-NTD4806N-35G-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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