Numéro de produit du fabricant:
NTBS9D0N10MC
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTBS9D0N10MC-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Description détaillée:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
1370 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976029
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SOUMETTRE
NTBS9D0N10MC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 131µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1695 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTBS9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
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