Numéro de produit du fabricant:
NTBGS1D5N06C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTBGS1D5N06C-DG
Description:
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Description détaillée:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988626
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SOUMETTRE
NTBGS1D5N06C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
rds activé (max) @ id, vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 318µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6250 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSS84W RFG
-60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL
TK12P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE