Numéro de produit du fabricant:
NTBG045N065SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTBG045N065SC1-DG
Description:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
744 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12963771
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SOUMETTRE
NTBG045N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
62A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1890 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
242W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBG045N065SC1DKR
488-NTBG045N065SC1TR
488-NTBG045N065SC1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVBG045N065SC1
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
796
NUMÉRO DE PIÈCE
NVBG045N065SC1-DG
PRIX UNITAIRE
17.97
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJA82EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
NTMFS022N15MC
POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
