Numéro de produit du fabricant:
NTBG040N120SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTBG040N120SC1-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
705 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938460
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SOUMETTRE
NTBG040N120SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1789 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
NTBG040
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBG040N120SC1DKR
488-NTBG040N120SC1CT
2156-NTBG040N120SC1-488
488-NTBG040N120SC1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R40MT12J
FABRICANT
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1509
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R40MT12J-DG
PRIX UNITAIRE
16.54
TYPE DE SUBSTITUT
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onsemi
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1265
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PRIX UNITAIRE
29.06
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
MTP9N25E
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
MTW8N50E
N-CHANNEL POWER MOSFET
