Numéro de produit du fabricant:
NTB25P06T4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTB25P06T4G-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12844720
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SOUMETTRE
NTB25P06T4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1680 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTB25
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-DG
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7933
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ250P10TL
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1434
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ250P10TL-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
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