Numéro de produit du fabricant:
NSVMUN5312DW1T3G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSVMUN5312DW1T3G-DG
Description:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventaire:
12858607
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SOUMETTRE
NSVMUN5312DW1T3G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
22kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
250mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Numéro de produit de base
NSVMUN5312
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
488-NSVMUN5312DW1T3GTR
NSVMUN5312DW1T3G-DG
488-NSVMUN5312DW1T3GDKR
488-NSVMUN5312DW1T3GCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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